| 關(guān)于天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司IGBT及光電子器件用區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)境影響評價受理信息公示 |
關(guān)于天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司IGBT及光電子器件用區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)境影響評價受理信息公示
1、天津濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)政務(wù)服務(wù)辦公室按照《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》《中華人民共和國行政許可法》《中華人民共和國政府信息公開條例》以及相關(guān)法規(guī),、規(guī)章和規(guī)定的要求，公示建設(shè)項目環(huán)境影響評價行政許可受理信息,。
2,、受理信息公示時限：10個工作日。
3,、公示期間,，公眾（包括個人、團(tuán)體等）可以通過郵件或信函（以郵戳為準(zhǔn)）方式提出意見,。
信函請寄至：天津濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)華苑科技園開華道20號,，天津濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)政務(wù)服務(wù)辦公室（郵編300384）。請在信封上注明：對天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司IGBT及光電子器件用區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目的意見,。
4,、信息公開后，我部門將要求行政許可申請人明確對各方意見予以采納或不采納的處理意見,，并決定是否對環(huán)評文件進(jìn)行相應(yīng)修改,。
5、相關(guān)資料由行政許可申請人提供,、并以其所提交的形式進(jìn)行公開,。上述資料和信息中如有錯漏，使用上述信息和資料作為依據(jù)者自行承擔(dān)責(zé)任,。
項目名稱 | 建設(shè)地點 | 建設(shè)單位 | 環(huán)境影響評價機構(gòu) | 公示時間 |
天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司IGBT及光電子器件用區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目 | 天津市高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)園區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號 | 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司 | 津誠環(huán)安（天津）科技發(fā)展有限公司 | 2024年6月25日至2024年7月8日 |
注：根據(jù)有關(guān)規(guī)定,，上述環(huán)境影響報告書（表）不含涉及國家秘密,、商業(yè)秘密、個人隱私以及涉及國家安全,、公共安全,、經(jīng)濟(jì)安全和社會穩(wěn)定的內(nèi)容。
天津濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)政務(wù)服務(wù)辦公室
2024年6月24日
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